三星闪存芯片首次进入3D晶体管时代：功耗更低 尺寸更小 10月23日消息，自从Intel首次在22nm工艺节点引入Finfet晶体管之后，逻辑工艺正式进入3D时代，现在三星也要在闪存芯片上首发3D晶体管技术了。FinFET是一种3D结构的晶体管，其结构类似鱼鳍Fin，进而得名鳍式晶体管，相比传...
